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FCPF099N65S3
MOSFET, N-CH, 650V, 30A, 150DEG C, 43W
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCPF099N65S3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande54AH6229
Gamme de produitSuperFET III
Votre numéro de pièce
1 625 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,750 $ |
| 10+ | 6,450 $ |
| 25+ | 6,310 $ |
| 50+ | 6,190 $ |
| 100+ | 6,050 $ |
| 250+ | 5,920 $ |
| 500+ | 5,810 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,75 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCPF099N65S3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande54AH6229
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.099ohm
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd43W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
43W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FCPF099N65S3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits