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FDB024N08BL7
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, 175DEG C, 246W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB024N08BL7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant58 semaines
Code Commande
Bobine complète94T9927
Mise en bobine54AH8614RL
Bandes découpées54AH8614
Gamme de produitPowerTrench
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,530 $ | 9,53 $ |
| Total Prix | 9,53 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,530 $ |
| 50+ | 6,750 $ |
| 100+ | 5,170 $ |
| 250+ | 5,070 $ |
| 500+ | 4,960 $ |
| 1000+ | 4,860 $ |
| 2500+ | 4,760 $ |
| 5000+ | 4,660 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 4,880 $ |
| 3000+ | 4,720 $ |
| 6000+ | 4,480 $ |
| 12000+ | 4,230 $ |
| 18000+ | 4,120 $ |
| 30000+ | 4,060 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB024N08BL7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant58 semaines
Code Commande
Bobine complète94T9927
Mise en bobine54AH8614RL
Bandes découpées54AH8614
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd246W
Power Dissipation246W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
246W
No. of Pins
7Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
246W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDB024N08BL7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit