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FDB047N10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB047N10Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Bobine complète07P9158
Bobine complète25AC9518
Bandes découpées84W8844
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 800 | 4,200 $ | 3 360,00 $ |
| Total Prix | 3 360,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 4,200 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 3,540 $ |
| 2400+ | 3,490 $ |
| 4000+ | 3,420 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB047N10Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Bobine complète07P9158
Bobine complète25AC9518
Bandes découpées84W8844
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0047ohm
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd375W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDB047N10 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and micro solar inverter.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0047ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
375W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit