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FDB13AN06A0
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB13AN06A0Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande50H4190
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 47 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 2,030 $ |
| 1600+ | 1,990 $ |
| 2400+ | 1,950 $ |
| 4000+ | 1,900 $ |
| 8000+ | 1,860 $ |
| 20000+ | 1,820 $ |
| 40000+ | 1,780 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 800
Multiple: 800
1 624,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB13AN06A0Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande50H4190
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
On Resistance Rds(on)0.0135ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd115W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTO-263AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
On Resistance Rds(on)
0.0135ohm
Power Dissipation Pd
115W
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit