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FDB3652
MOSFET Transistor, N Channel, 61 A, 100
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB3652Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine47T5011RL
Bandes découpées47T5011
Votre numéro de pièce
660 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,830 $ | 4,83 $ |
| Total Prix | 4,83 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,830 $ |
| 50+ | 3,320 $ |
| 100+ | 2,550 $ |
| 250+ | 2,280 $ |
| 500+ | 2,000 $ |
| 1000+ | 1,960 $ |
| 2500+ | 1,920 $ |
| 5000+ | 1,880 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB3652Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine47T5011RL
Bandes découpées47T5011
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDB3652
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit