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FDC5614P
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC5614PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2026
Mise en bobine34C0107RL
Bandes découpées34C0107
Votre numéro de pièce
76 251 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,520 $ | 1,52 $ |
| Total Prix | 1,52 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,520 $ |
| 50+ | 0,991 $ |
| 100+ | 0,682 $ |
| 250+ | 0,615 $ |
| 500+ | 0,548 $ |
| 1000+ | 0,506 $ |
| 2500+ | 0,496 $ |
| 5000+ | 0,486 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,435 $ |
| 9000+ | 0,409 $ |
| 15000+ | 0,400 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC5614PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2026
Mise en bobine34C0107RL
Bandes découpées34C0107
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)0.082ohm
Drain Source On State Resistance0.105ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.6W
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC5614P is a -60V P-channel logic level PowerTrench® MOSFET uses high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- ±20V gate source voltage (VGSS)
- 78°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 30°C/W thermal resistance, junction to case
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.082ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit