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FDC5614P
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC5614P
Code Commande34C0107
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.105ohm
On Resistance Rds(on)0.082ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The FDC5614P is a -60V P-channel logic level PowerTrench® MOSFET uses high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- ±20V gate source voltage (VGSS)
- 78°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 30°C/W thermal resistance, junction to case
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
0.082ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC5614P
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits