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FDC6303N
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6303NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2028
Mise en bobine58M6619RL
Bandes découpées58M6619
Votre numéro de pièce
135 558 En Stock
117 558 disponibles sur {packagingType}
18 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,050 $ | 1,05 $ |
| Total Prix | 1,05 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,050 $ |
| 10+ | 0,593 $ |
| 25+ | 0,530 $ |
| 50+ | 0,469 $ |
| 100+ | 0,405 $ |
| 250+ | 0,363 $ |
| 500+ | 0,320 $ |
| 1000+ | 0,288 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,235 $ |
| 6000+ | 0,226 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6303NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2028
Mise en bobine58M6619RL
Bandes découpées58M6619
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id680mA
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id N Channel680mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.45ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
680mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
680mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit