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FDC6303N
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6303NCopie
Code Commande
Bobine complète67R2028
Mise en bobine58M6619
Bandes découpées58M6619
Votre numéro de pièce
135 688 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,050 $ | 1,05 $ |
| Total Prix | 1,05 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,050 $ |
| 10+ | 0,593 $ |
| 25+ | 0,530 $ |
| 50+ | 0,469 $ |
| 100+ | 0,405 $ |
| 250+ | 0,363 $ |
| 500+ | 0,320 $ |
| 1000+ | 0,288 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,235 $ |
| 6000+ | 0,226 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6303NCopie
Code Commande
Bobine complète67R2028
Mise en bobine58M6619
Bandes découpées58M6619
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id680mA
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel680mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.45ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
680mA
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
680mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC6303N
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit