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FDC6305N
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6305NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2029
Mise en bobine25M9439RL
Bandes découpées25M9439
Votre numéro de pièce
42 675 En Stock
18 675 disponibles sur {packagingType}
24 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,877 $ | 4,38 $ |
| Total Prix | 4,38 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,877 $ |
| 10+ | 0,718 $ |
| 25+ | 0,636 $ |
| 50+ | 0,565 $ |
| 100+ | 0,484 $ |
| 250+ | 0,426 $ |
| 500+ | 0,338 $ |
| 1000+ | 0,324 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,303 $ |
| 6000+ | 0,291 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6305NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2029
Mise en bobine25M9439RL
Bandes découpées25M9439
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel2.7A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.08ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6305N is a dual N-channel low threshold MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is suitable for use with load switch, DC-to-DC converters and motor driving applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.08ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit