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FDC6310P
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
7 233 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,862 $ |
| 10+ | 0,544 $ |
| 25+ | 0,541 $ |
| 50+ | 0,465 $ |
| 100+ | 0,388 $ |
| 250+ | 0,387 $ |
| 500+ | 0,344 $ |
| 1000+ | 0,326 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,86 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6310P
Code Commande31Y1345
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel2.2A
Continuous Drain Current Id P Channel2.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDC6310P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and battery protected applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.1ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits