Imprimer la page
FDC6310P
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6310PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande58K1418
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,360 $ |
| 9000+ | 0,332 $ |
| 15000+ | 0,325 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 080,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6310PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande58K1418
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel2.2A
Continuous Drain Current Id P Channel2.2A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.125ohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6310P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and battery protected applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.125ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC6310P
1 produit trouvé
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit