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FDC6321C
MOSFET Transistor, N and P Channel, 680
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6321CCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète87X5227
Mise en bobine25M9441RL
Bandes découpées25M9441
Votre numéro de pièce
13 091 En Stock
13 091 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,424 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 2,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,420 $ |
| 10+ | 0,881 $ |
| 15+ | 0,803 $ |
| 25+ | 0,726 $ |
| 50+ | 0,648 $ |
| 125+ | 0,573 $ |
| 250+ | 0,562 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,424 $ |
| 6000+ | 0,398 $ |
| 12000+ | 0,378 $ |
| 18000+ | 0,360 $ |
| 30000+ | 0,347 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6321CCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète87X5227
Mise en bobine25M9441RL
Bandes découpées25M9441
Fiche technique
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id680mA
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id N Channel680mA
Continuous Drain Current Id P Channel460mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.45ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.1ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel900mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N and P Channel
Continuous Drain Current Id
680mA
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
460mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
900mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
680mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit