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FDC6333C..
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6333C..Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1771
Mise en bobine47T5019RL
Bandes découpées47T5019
Votre numéro de pièce
5 688 En Stock
5 688 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,280 $ | 6,40 $ |
| Total Prix | 6,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,280 $ |
| 10+ | 0,793 $ |
| 25+ | 0,701 $ |
| 50+ | 0,608 $ |
| 100+ | 0,516 $ |
| 250+ | 0,456 $ |
| 500+ | 0,395 $ |
| 1000+ | 0,356 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,326 $ |
| 6000+ | 0,299 $ |
| 12000+ | 0,281 $ |
| 18000+ | 0,260 $ |
| 30000+ | 0,249 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6333C..Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1771
Mise en bobine47T5019RL
Bandes découpées47T5019
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.095ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.095ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6333C is a N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and LCD display inverter applications.
- Low gate charge
- Small footprint
- Low profile
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.095ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.095ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit