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FDC645N
MISCELLANEOUS MOSFETS
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC645NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète34C0113
Bobine complète85AC1772
Mise en bobine80K8581RL
Bandes découpées80K8581
Gamme de produitPowerTrench Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,660 $ | 8,30 $ |
| Total Prix | 8,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,660 $ |
| 50+ | 1,040 $ |
| 100+ | 0,679 $ |
| 250+ | 0,602 $ |
| 500+ | 0,525 $ |
| 1000+ | 0,477 $ |
| 2500+ | 0,467 $ |
| 5000+ | 0,459 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,507 $ |
| 6000+ | 0,537 $ |
| 9000+ | 0,477 $ |
| 12000+ | 0,510 $ |
| 15000+ | 0,468 $ |
| 18000+ | 0,484 $ |
| 30000+ | 0,468 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC645NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète34C0113
Bobine complète85AC1772
Mise en bobine80K8581RL
Bandes découpées80K8581
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.5A
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.6W
Power Dissipation Pd1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
No. of Pins
6Pins
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.5A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC645N
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit