Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC653NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande67R2042
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,426 $ |
| 6000+ | 0,409 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 278,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC653NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande67R2042
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.6W
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC653N is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMICA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC653N
1 produit trouvé
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
