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FDC655BN
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | FDC655BNCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
| Code Commande | Bobine complète64K0963 Mise en bobine15R3422RL Bandes découpées15R3422 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
1 504 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,240 $ | 1,24 $ |
| Total Prix | 1,24 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,240 $ |
| 50+ | 0,602 $ |
| 100+ | 0,539 $ |
| 250+ | 0,485 $ |
| 500+ | 0,430 $ |
| 1000+ | 0,421 $ |
| 2500+ | 0,413 $ |
| 5000+ | 0,403 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,305 $ |
| 6000+ | 0,300 $ |
| 9000+ | 0,293 $ |
| 15000+ | 0,287 $ |
| 30000+ | 0,281 $ |
| 75000+ | 0,274 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | FDC655BNCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
| Code Commande | Bobine complète64K0963 Mise en bobine15R3422RL Bandes découpées15R3422 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Continuous Drain Current Id | 6.3A |
| On Resistance Rds(on) | 0.021ohm |
| Drain Source On State Resistance | 0.025ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation Pd | 1.6W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.9V |
| Transistor Case Style | SuperSOT |
| Power Dissipation | 1.6W |
| No. of Pins | 6Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 30V |
| On Resistance Rds(on) | 0.021ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 1.6W |
| Transistor Case Style | SuperSOT |
| No. of Pins | 6Pins |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 6.3A |
| Drain Source On State Resistance | 0.025ohm |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.9V |
| Power Dissipation | 1.6W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC655BN
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |