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FDC655BN
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC655BNCopie
Code Commande
Mise en bobine15R3422
Bandes découpées15R3422
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61 504 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,050 $ | 1,05 $ |
| Total Prix | 1,05 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,050 $ |
| 25+ | 0,819 $ |
| 50+ | 0,694 $ |
| 100+ | 0,594 $ |
| 250+ | 0,509 $ |
| 500+ | 0,444 $ |
| 1000+ | 0,376 $ |
| 2500+ | 0,328 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC655BNCopie
Code Commande
Mise en bobine15R3422
Bandes découpées15R3422
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.6W
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC655BN
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit