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FDC6561AN
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6561ANCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète25AC9532
Bobine complète67R2043
Mise en bobine58K8828RL
Bandes découpées58K8828
Votre numéro de pièce
50 629 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,420 $ | 1,42 $ |
| Total Prix | 1,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,420 $ |
| 25+ | 0,901 $ |
| 50+ | 0,741 $ |
| 100+ | 0,580 $ |
| 250+ | 0,541 $ |
| 500+ | 0,502 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,402 $ |
| 6000+ | 0,397 $ |
| 12000+ | 0,390 $ |
| 18000+ | 0,378 $ |
| 30000+ | 0,366 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6561ANCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète25AC9532
Bobine complète67R2043
Mise en bobine58K8828RL
Bandes découpées58K8828
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.082ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6561AN is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for all applications where small size is desirable but especially DC-to-DC conversion in battery powered systems.
- Low gate charge
- Very fast switching
- Small footprint
- Low profile
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.082ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit