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FDC658AP
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4 mA, 0.05 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC658APCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète25AC9533
Mise en bobine15R3423
Bandes découpées15R3423
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,350 $ | 1,35 $ |
| Total Prix | 1,35 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,350 $ |
| 25+ | 1,060 $ |
| 50+ | 0,896 $ |
| 100+ | 0,766 $ |
| 250+ | 0,658 $ |
| 500+ | 0,573 $ |
| 1000+ | 0,484 $ |
| 2500+ | 0,424 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,367 $ |
| 6000+ | 0,359 $ |
| 12000+ | 0,341 $ |
| 18000+ | 0,337 $ |
| 30000+ | 0,331 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC658APCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète25AC9533
Mise en bobine15R3423
Bandes découpées15R3423
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4mA
Drain Source On State Resistance0.05ohm
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC658AP is a logic level single P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management, load switch and DC-to-DC conversion applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4mA
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC658AP
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit