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FDC8601
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 2.7 A, 0.109 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC8601Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Bobine complète92R5520
Bandes découpées85W3137
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,330 $ | 3 990,00 $ |
| Total Prix | 3 990,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,330 $ |
| 6000+ | 1,300 $ |
| 9000+ | 1,280 $ |
| 15000+ | 1,250 $ |
| 30000+ | 1,220 $ |
| 75000+ | 1,200 $ |
| 150000+ | 1,170 $ |
| 300000+ | 1,140 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,160 $ |
| 9000+ | 1,120 $ |
| 15000+ | 1,100 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC8601Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Bobine complète92R5520
Bandes découpées85W3137
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.109ohm
On Resistance Rds(on)0.086ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC8601 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in load switch, synchronous rectifier and primary switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.109ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
On Resistance Rds(on)
0.086ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit