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FDC8602
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC8602Copie
Code Commande
Bobine complète94T9935
Mise en bobine57AC1881
Bandes découpées57AC1881
Gamme de produitPowerTrench Series
Votre numéro de pièce
18 399 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,010 $ | 15,05 $ |
| Total Prix | 15,05 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,010 $ |
| 10+ | 1,940 $ |
| 25+ | 1,770 $ |
| 50+ | 1,590 $ |
| 100+ | 1,420 $ |
| 250+ | 1,290 $ |
| 500+ | 1,160 $ |
| 1000+ | 1,030 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,070 $ |
| 6000+ | 0,966 $ |
| 12000+ | 0,870 $ |
| 18000+ | 0,838 $ |
| 30000+ | 0,819 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC8602Copie
Code Commande
Bobine complète94T9935
Mise en bobine57AC1881
Bandes découpées57AC1881
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id1.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id N Channel1.2A
Continuous Drain Current Id P Channel1.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.285ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.285ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.285ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.285ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC8602
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit