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FDD13AN06A0
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 9.9 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,780 $ |
| 3000+ | 1,730 $ |
| 6000+ | 1,600 $ |
| 12000+ | 1,480 $ |
| 18000+ | 1,440 $ |
| 30000+ | 1,420 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
4 450,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD13AN06A0
Code Commande50H4193
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id9.9A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
On Resistance Rds(on)0.0115ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd115W
Transistor Case StyleTO-252AA
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FDD13AN06A0 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit application.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
115W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.9A
On Resistance Rds(on)
0.0115ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit