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FDD18N20LZ
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD18N20LZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète54T8318
Mise en bobine46AC0765RL
Bandes découpées46AC0765
Gamme de produitUniFET Series
Votre numéro de pièce
3 792 En Stock
3 792 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,400 $ | 4,40 $ |
| Total Prix | 4,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,400 $ |
| 50+ | 3,000 $ |
| 100+ | 2,190 $ |
| 250+ | 2,020 $ |
| 500+ | 1,830 $ |
| 1000+ | 1,750 $ |
| 2500+ | 1,720 $ |
| 5000+ | 1,680 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,940 $ |
| 3000+ | 1,870 $ |
| 6000+ | 1,740 $ |
| 12000+ | 1,600 $ |
| 18000+ | 1,560 $ |
| 30000+ | 1,530 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD18N20LZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète54T8318
Mise en bobine46AC0765RL
Bandes découpées46AC0765
Gamme de produitUniFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd89W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
89W
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDD18N20LZ
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit