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FDD5680
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,847 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 117,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD5680
Code Commande58K1436
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.5A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
2.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit