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FDD5680
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD5680Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande58K1436
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,918 $ |
| 5000+ | 0,900 $ |
| 7500+ | 0,882 $ |
| 12500+ | 0,864 $ |
| 25000+ | 0,846 $ |
| 62500+ | 0,826 $ |
| 125000+ | 0,808 $ |
| 250000+ | 0,790 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 295,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD5680Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande58K1436
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source On State Resistance0.017ohm
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
2.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit