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FDD6630A
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 21 A, 35 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD6630ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande
Bobine complète34C0124
Mise en bobine67P3465
Bandes découpées67P3465
Gamme de produitPowerTrench Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 1,340 $ | 3 350,00 $ |
| Total Prix | 3 350,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,340 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,581 $ |
| 3000+ | 0,572 $ |
| 6000+ | 0,537 $ |
| 12000+ | 0,511 $ |
| 18000+ | 0,484 $ |
| 30000+ | 0,469 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD6630ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande
Bobine complète34C0124
Mise en bobine67P3465
Bandes découpées67P3465
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd28W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation28W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FDD6630A is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 5nC Typical low gate charge
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
28W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
28W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit