Imprimer la page
FDD7N25LZTM
MISCELLANEOUS MOSFETS
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,990 $ | 9,95 $ |
| Total Prix | 9,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,990 $ |
| 50+ | 1,310 $ |
| 100+ | 0,922 $ |
| 250+ | 0,839 $ |
| 500+ | 0,757 $ |
| 1000+ | 0,700 $ |
| 2500+ | 0,643 $ |
| 5000+ | 0,636 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,657 $ |
| 3000+ | 0,705 $ |
| 6000+ | 0,662 $ |
| 7500+ | 0,619 $ |
| 12000+ | 0,630 $ |
| 12500+ | 0,606 $ |
| 18000+ | 0,598 $ |
| 30000+ | 0,577 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD7N25LZTMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète27T6421
Bobine complète87AK5578
Mise en bobine54AH6239RL
Bandes découpées54AH6239
Gamme de produitUniFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id6.2A
On Resistance Rds(on)0.43ohm
Drain Source On State Resistance0.43ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd56W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation56W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.43ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.2A
Drain Source On State Resistance
0.43ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
56W
Power Dissipation
56W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDD7N25LZTM
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit