Imprimer la page
FDD86252
MOSFET, N CH, 150V, 27A, TO252
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD86252Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1775
Mise en bobine88T3251RL
Bandes découpées88T3251
Votre numéro de pièce
86 168 En Stock
86 168 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,440 $ | 17,20 $ |
| Total Prix | 17,20 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,440 $ |
| 50+ | 2,300 $ |
| 100+ | 1,660 $ |
| 250+ | 1,520 $ |
| 500+ | 1,380 $ |
| 1000+ | 1,290 $ |
| 2500+ | 1,270 $ |
| 5000+ | 1,240 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,819 $ |
| 5000+ | 0,804 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD86252Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1775
Mise en bobine88T3251RL
Bandes découpées88T3251
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id42A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd89W
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The FDD86252 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Shielded gate MOSFET technology
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
89W
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDD86252
1 produit trouvé
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit