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FDG6303N
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDG6303N
Code Commande
Bobine complète35P2808
Bandes découpées58K1450
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,255 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,241 $ |
| 6000+ | 0,233 $ |
| 12000+ | 0,224 $ |
| 18000+ | 0,214 $ |
| 30000+ | 0,203 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDG6303N
Code Commande
Bobine complète35P2808
Bandes découpées58K1450
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.34ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDG6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Compact industry standard surface-mount-package
- -0.5 to 8V Gate to source voltage
- 0.5A Continuous drain/output current
- 1.5A Pulsed drain/output current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
500mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.34ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits