Imprimer la page
FDMB3800N
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMB3800NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète86K1357
Bandes découpées87W8822
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,520 $ | 4 560,00 $ |
| Total Prix | 4 560,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,520 $ |
| 6000+ | 1,310 $ |
| 9000+ | 1,180 $ |
| 15000+ | 1,070 $ |
| 30000+ | 0,904 $ |
| 75000+ | 0,802 $ |
| 150000+ | 0,699 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,903 $ |
| 9000+ | 0,875 $ |
| 15000+ | 0,813 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMB3800NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète86K1357
Bandes découpées87W8822
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id4.8A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel4.8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.032ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleµFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.032ohm
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documents techniques (4)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (19-Jan-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit