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FDMC6679AZ
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 20 A, 8.6 mohm, MLP, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC6679AZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète64R3011
Mise en bobine88T3264
Bandes découpées88T3264
Votre numéro de pièce
33 000 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,810 $ | 2,81 $ |
| Total Prix | 2,81 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,810 $ |
| 10+ | 1,810 $ |
| 25+ | 1,600 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,210 $ |
| 250+ | 1,090 $ |
| 500+ | 0,961 $ |
| 1000+ | 0,882 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,220 $ |
| 6000+ | 1,130 $ |
| 12000+ | 1,050 $ |
| 18000+ | 1,020 $ |
| 30000+ | 0,997 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC6679AZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète64R3011
Mise en bobine88T3264
Bandes découpées88T3264
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance8.6mohm
On Resistance Rds(on)0.0086ohm
Transistor Case StyleMLP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd41W
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDMC6679AZ is a P-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest RDS (ON) and ESD protection. It is suitable for load switch and battery pack applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- 8kV typical HBM ESD protection level
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.0086ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
41W
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8.6mohm
Transistor Case Style
MLP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDMC6679AZ
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit