Imprimer la page
FDMC86102L
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 18 A, 23 mohm, MLP, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86102LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète27T6430
Bandes découpées85W3145
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,460 $ | 4 380,00 $ |
| Total Prix | 4 380,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,460 $ |
| 6000+ | 1,430 $ |
| 9000+ | 1,400 $ |
| 15000+ | 1,370 $ |
| 30000+ | 1,340 $ |
| 75000+ | 1,310 $ |
| 150000+ | 1,280 $ |
| 300000+ | 1,250 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,270 $ |
| 9000+ | 1,240 $ |
| 15000+ | 1,210 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86102LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète27T6430
Bandes découpées85W3145
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance23mohm
On Resistance Rds(on)0.0189ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd41W
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Transistor Case StyleMLP
Power Dissipation41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDMC86102L is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the ON-state resistance and yet maintains superior switching performance.
- Low-profile
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
23mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
41W
Transistor Case Style
MLP
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.0189ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDMC86102L
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit