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FDMC86102L
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 18 A, 23 mohm, MLP, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 7 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 100+ | 1,240 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
3 720,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86102L
Code Commande85W3145
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.0189ohm
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd41W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Transistor Case StyleMLP
Power Dissipation41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The FDMC86102L is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the ON-state resistance and yet maintains superior switching performance.
- Low-profile
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0189ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
MLP
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
23mohm
Power Dissipation Pd
41W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit