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FDMC86102LZ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, MLP, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86102LZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine46AC0783RL
Bandes découpées46AC0783
Votre numéro de pièce
9 396 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,960 $ | 3,96 $ |
| Total Prix | 3,96 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,960 $ |
| 50+ | 2,440 $ |
| 100+ | 1,780 $ |
| 250+ | 1,740 $ |
| 500+ | 1,710 $ |
| 1000+ | 1,670 $ |
| 2500+ | 1,640 $ |
| 5000+ | 1,600 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86102LZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine46AC0783RL
Bandes découpées46AC0783
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id22A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleMLP
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd41W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDMC86102LZ is a N-channel Logic Level MOSFETs produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the ON-state resistance and yet maintains superior switching performance. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
- 100% UIL tested
- 6kV typical HBM ESD protection level
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Case Style
MLP
Power Dissipation Pd
41W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit