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FDMC86260
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86260Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète96W6420
Mise en bobine07AH3918RL
Bandes découpées07AH3918
Gamme de produitPowerTrench Series
Votre numéro de pièce
1 507 En Stock
1 507 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,590 $ | 3,59 $ |
| Total Prix | 3,59 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,590 $ |
| 50+ | 2,540 $ |
| 100+ | 1,890 $ |
| 250+ | 1,780 $ |
| 500+ | 1,660 $ |
| 1000+ | 1,630 $ |
| 2500+ | 1,590 $ |
| 5000+ | 1,560 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 2,570 $ |
| 6000+ | 2,470 $ |
| 12000+ | 2,280 $ |
| 18000+ | 2,220 $ |
| 30000+ | 2,150 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86260Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète96W6420
Mise en bobine07AH3918RL
Bandes découpées07AH3918
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation54W
Power Dissipation Pd54W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
54W
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDMC86260
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit