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FDMQ8403
Dual MOSFET, Quad N Channel, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMQ8403Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4954
Bobine complète94T9975
Mise en bobine07AH3924RL
Bandes découpées07AH3924
Gamme de produitPowerTrench GreenBridge Series
Votre numéro de pièce
10 192 En Stock
10 192 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,770 $ | 6,77 $ |
| Total Prix | 6,77 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,770 $ |
| 50+ | 4,490 $ |
| 100+ | 3,180 $ |
| 250+ | 2,970 $ |
| 500+ | 2,750 $ |
| 1000+ | 2,700 $ |
| 2500+ | 2,640 $ |
| 5000+ | 2,580 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 3,470 $ |
| 6000+ | 3,300 $ |
| 9000+ | 2,280 $ |
| 12000+ | 3,110 $ |
| 15000+ | 2,230 $ |
| 18000+ | 3,020 $ |
| 30000+ | 2,990 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMQ8403Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4954
Bobine complète94T9975
Mise en bobine07AH3924RL
Bandes découpées07AH3924
Gamme de produitPowerTrench GreenBridge Series
Fiche technique
Channel TypeQuad N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel17W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench GreenBridge Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
FDMQ8403 is a MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH®,Greenbridge™ series of high-efficiency bridge rectifier. This quad MOSFET solution provides ten−fold improvement in power dissipation over diode bridge. Application includes high efficiency bridge rectifiers.
- 85mohm typical static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 3A)
- Substantial efficiency benefit in PD solutions
- Gate to source voltage is ±20V, 1nA maximum zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 80V)
- 2.8V typical drain to source breakdown voltage (VGS = VDS, ID = 250µA)
- 6S typical forward transconductance (VDS = 10V, ID = 3A)
- 4.1ns typical turn on delay time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 1.2ns typical rise time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 0.9nC typical gate to source charge (VDD = 50V, ID = 3A)
- 33ns typical reverse recovery time (IF = 3A, di/dt = 100 A/µs)
- WDFN12 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
PowerTrench GreenBridge Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDMQ8403
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit