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FDMS3602S
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.0044 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS3602S
Code Commande
Bobine complète54T8337
Bandes découpées58T5424
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
Options de conditionnement
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS3602S
Code Commande
Bobine complète54T8337
Bandes découpées58T5424
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0044ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0044ohm
Transistor Case StylePower 56
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.2W
Power Dissipation P Channel2.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0044ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0044ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation N Channel
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit