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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS86103LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète27T6436
Mise en bobine88T3338RL
Bandes découpées88T3338
Votre numéro de pièce
2 222 En Stock
2 222 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,420 $ | 5,42 $ |
| Total Prix | 5,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,420 $ |
| 50+ | 3,550 $ |
| 100+ | 2,490 $ |
| 250+ | 2,260 $ |
| 500+ | 2,030 $ |
| 1000+ | 1,990 $ |
| 2500+ | 1,950 $ |
| 5000+ | 1,900 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,720 $ |
| 9000+ | 1,690 $ |
| 15000+ | 1,650 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS86103LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète27T6436
Mise en bobine88T3338RL
Bandes découpées88T3338
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source On State Resistance0.0064ohm
On Resistance Rds(on)0.0064ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDMS86103L is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Shielded gate MOSFET technology
- Advanced package and silicon combination for low RDS (ON) and high efficiency
- MSL1 Robust package design
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
49A
On Resistance Rds(on)
0.0064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0064ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
