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FDMT800120DC
MOSFET, N-CH, 120V, 128A, PQFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMT800120DC
Code Commande
Mise en bobine07AH3936
Bandes découpées07AH3936
Gamme de produitPowerTrench
Votre numéro de pièce
Fiche technique
457 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,580 $ |
| 10+ | 6,860 $ |
| 25+ | 6,540 $ |
| 50+ | 6,190 $ |
| 100+ | 5,860 $ |
| 250+ | 5,790 $ |
| 500+ | 5,700 $ |
| 1000+ | 5,630 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMT800120DC
Code Commande
Mise en bobine07AH3936
Bandes découpées07AH3936
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id128A
On Resistance Rds(on)0.00345ohm
Drain Source On State Resistance0.0042ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
120V
On Resistance Rds(on)
0.00345ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
128A
Drain Source On State Resistance
0.0042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits