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FDN302P
MOSFET, P, SMD, SSOT-3
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN302PCopie
Code Commande
Mise en bobine61M6277
Bandes découpées61M6277
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2 050 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,702 $ | 3,51 $ |
| Total Prix | 3,51 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,702 $ |
| 250+ | 0,636 $ |
| 500+ | 0,573 $ |
| 1000+ | 0,523 $ |
| 5000+ | 0,377 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN302PCopie
Code Commande
Mise en bobine61M6277
Bandes découpées61M6277
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.4A
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
RoHS Phthalates CompliantYes
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
RoHS Phthalates Compliant
Yes
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour FDN302P
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit