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FDN306P
MOSFET, P, SMD, SSOT-3
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN306PCopie
Code Commande
Mise en bobine61M6278
Bandes découpées61M6278
Votre numéro de pièce
32 138 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,873 $ | 4,36 $ |
| Total Prix | 4,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,873 $ |
| 10+ | 0,547 $ |
| 25+ | 0,480 $ |
| 50+ | 0,412 $ |
| 100+ | 0,344 $ |
| 250+ | 0,316 $ |
| 500+ | 0,285 $ |
| 1000+ | 0,251 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN306PCopie
Code Commande
Mise en bobine61M6278
Bandes découpées61M6278
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd500mW
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit