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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN327N
Code Commande82C2523
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd500mW
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The FDN327N is a 20V specified N-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for power management and load switch applications.
- Fast switching speed
- 4.5nC typical low gate charge
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
70mohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDN327N
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits