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FDN335N
MOSFET, N CH, 20V, 1.7A, SUPERSOT
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
24 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,278 $ |
| 6000+ | 0,272 $ |
| 12000+ | 0,265 $ |
| 18000+ | 0,257 $ |
| 30000+ | 0,248 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
834,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN335N
Code Commande96W6882
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits