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FDN337N
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN337NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K1464RL
Bandes découpées58K1464
Votre numéro de pièce
3 637 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,230 $ | 1,23 $ |
| Total Prix | 1,23 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,230 $ |
| 50+ | 0,764 $ |
| 100+ | 0,494 $ |
| 250+ | 0,437 $ |
| 500+ | 0,378 $ |
| 1000+ | 0,340 $ |
| 2500+ | 0,333 $ |
| 5000+ | 0,326 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN337NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K1464RL
Bandes découpées58K1464
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.2A
On Resistance Rds(on)0.054ohm
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDN337N is N channel logic level enhancement mode power field effect transistor in superSOT-3 package. This transistor is produced using high cell density, DMOS technology, very high density process is especially tailored to minimize on state resistance, thus suite for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low inline power loss are needed in a very small outline surface mount package.
- High density cell design for extremely low Rds(on)
- Exceptional on resistance and maximum DC current capability
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Low on state resistance of 65mohm at Vgs 4.5V
- Continuous drain current of 2.2A
- Maximum power dissipation of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.054ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit