Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 301 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,821 $ |
25+ | 0,533 $ |
50+ | 0,415 $ |
100+ | 0,295 $ |
250+ | 0,283 $ |
500+ | 0,270 $ |
1000+ | 0,237 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,82 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN360P
Code Commande58K1466
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max20V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDN360P is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
- High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
- Low gate charge typically 6.2nC
- Drain to source voltage (Vds) of -30V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
- Power dissipation (Pd) of 500mW
- Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
20V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDN360P
1 produit trouvé
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits