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FDN8601
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN8601
Code Commande88T3350
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.0854ohm
On Resistance Rds(on)0.0854ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour FDN8601
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The FDN8601 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for primary DC-to-DC switch and load switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0854ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
On Resistance Rds(on)
0.0854ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits associés
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit