Imprimer la page
FDP083N15A-F102
MOSFET, N CH, 150V, 117A, TO-220-3
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP083N15A-F102Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande95W3172
Votre numéro de pièce
1 127 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,330 $ |
| 10+ | 5,490 $ |
| 25+ | 5,370 $ |
| 50+ | 5,230 $ |
| 100+ | 5,110 $ |
| 250+ | 4,980 $ |
| 500+ | 4,840 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
9,33 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP083N15A-F102Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande95W3172
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id117A
Drain Source On State Resistance6850µohm
On Resistance Rds(on)0.00685ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd294W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation294W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDP083N15A_F102 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
6850µohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
117A
On Resistance Rds(on)
0.00685ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
294W
Power Dissipation
294W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit