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FDP5800
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.006 ohm, TO-220, Through Hole
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| 10+ | 2,780 $ |
| 100+ | 2,590 $ |
| 500+ | 2,390 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP5800
Code Commande61M6291
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.006ohm
On Resistance Rds(on)0.0046ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd242mW
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation242mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
242mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0046ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
242mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit