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FDP61N20
MOSFET Transistor, N Channel, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 342 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,730 $ |
| 10+ | 2,560 $ |
| 100+ | 2,390 $ |
| 500+ | 2,370 $ |
| 1600+ | 2,330 $ |
| 3200+ | 2,270 $ |
| 5600+ | 2,230 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,73 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP61N20
Code Commande04M9105
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation417W
Power Dissipation Pd417W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
417W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
417W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits