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FDS3572
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS3572
Code Commande
Bobine complète29X6694
Mise en bobine31Y1390
Bandes découpées31Y1390
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,520 $ |
| 10+ | 2,560 $ |
| 25+ | 2,340 $ |
| 50+ | 2,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,740 $ |
| 3000+ | 1,680 $ |
| 6000+ | 1,560 $ |
| 12000+ | 1,450 $ |
| 18000+ | 1,420 $ |
| 30000+ | 1,390 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS3572
Code Commande
Bobine complète29X6694
Mise en bobine31Y1390
Bandes découpées31Y1390
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id8.9A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS3572 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in primary switch for isolated DC-to-DC converters, high voltage synchronous rectifier for DC bus converters, distributed power and intermediate bus architectures.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.9A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit