Imprimer la page
FDS3672
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 7.5 A, 23 mohm, SOIC, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 2 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,150 $ |
| 3000+ | 1,110 $ |
| 6000+ | 1,020 $ |
| 12000+ | 0,918 $ |
| 18000+ | 0,886 $ |
| 30000+ | 0,866 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 875,00 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS3672
Code Commande67R2067
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id7.5A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The FDS3672 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for high voltage synchronous rectifier, DC-to-DC converters and off-line UPS, distributed power architectures and VRMs, primary switch for 24 and 48V systems.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Drain Source On State Resistance
23mohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDS3672
1 produit trouvé
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit