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FDS3890
N CHANNEL MOSFET, 80V, SOIC
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS3890Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande87X8731
Votre numéro de pièce
1 097 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,780 $ |
| 10+ | 3,240 $ |
| 100+ | 2,360 $ |
| 500+ | 1,990 $ |
| 1000+ | 1,950 $ |
| 2500+ | 1,900 $ |
| 5000+ | 1,860 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,78 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS3890Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande87X8731
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.034ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.034ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.034ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source Voltage Vds
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.034ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits