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FDS4559
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS4559Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant34 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2069
Mise en bobine34C0166
Bandes découpées34C0166
Votre numéro de pièce
60 000 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,700 $ | 1,70 $ |
| Total Prix | 1,70 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,700 $ |
| 10+ | 1,420 $ |
| 25+ | 1,270 $ |
| 50+ | 1,150 $ |
| 100+ | 1,010 $ |
| 250+ | 0,905 $ |
| 500+ | 0,752 $ |
| 1000+ | 0,727 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,752 $ |
| 3000+ | 0,738 $ |
| 6000+ | 0,694 $ |
| 12000+ | 0,659 $ |
| 18000+ | 0,626 $ |
| 30000+ | 0,605 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS4559Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant34 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2069
Mise en bobine34C0166
Bandes découpées34C0166
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.105ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS4559 is a complementary MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for LCD backlight inverter.
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.105ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits